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v 單價離子加速能量≥200keV，并增加減速系統實現單價離子在5keV~200keV的能量范圍
v 可用于2、3、4、6、8英寸晶圓以及不規則碎片
v 可注入B、P、As、Al、S、H、Mg、Si離子
v 注入劑量精準度≤1.5%
v 離子注入劑量范圍：1×1011 at/cm2～1×1016 at/cm2
v 離子源部分：離子源、離子源氣體系統和離子源引出系統
v 離子源系統搭載5套從固體蒸發源產生離子的Vaporizer，溫度達700℃，實現固態源的離子注入
v 離子注入傾斜角度在0°和7°
v 室溫臺：0°和7°；高溫臺：0°
v 束流調整系統主要包括：質量分析器、束流匯聚系統、加速系統、掃描系統、束流檢測和高壓絕緣變壓器
v 真空系統主要包括：Ion Source真空系統、Beam Line真空系統、End Station真空系統、真空系統中的真空管件和閥門以及真空檢測單元
v 真空度：
Ion Source真空度：≤7×10-4Pa
Beam Line真空度：≤7×10-5Pa
End Station真空度：≤7×10-5Pa
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